{"id":2353,"date":"2019-10-01T07:06:00","date_gmt":"2019-10-01T07:06:00","guid":{"rendered":"https:\/\/fe-kiel.de\/?p=2353"},"modified":"2026-07-23T07:08:44","modified_gmt":"2026-07-23T07:08:44","slug":"hochstrom-chip-verbindung","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/fe-kiel.de\/en\/hochstrom-chip-verbindung\/","title":{"rendered":"Hochstrom-Chip-Verbindung"},"content":{"rendered":"<blockquote class=\"wp-block-quote is-layout-flow wp-block-quote-is-layout-flow\">\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Thema: Robust-Elektronik f\u00fcr h\u00f6chste Leistungsdichten - Hochstrom-Chip-Verbindung<\/p>\n\n\n\n<div style=\"height:30px\" aria-hidden=\"true\" class=\"wp-block-spacer\"><\/div>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Finanzierung: Ministerium f\u00fcr Wirtschaft, Verkehr, Arbeit, Technologie und Tourismus des Landes Schleswig-Holstein mit Landesmitteln nach Ma\u00dfgabe der FIT-Richtlinie<\/p>\n\n\n\n<div style=\"height:30px\" aria-hidden=\"true\" class=\"wp-block-spacer\"><\/div>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Forschungskennzahl: TIP-L\/1.1\/42<\/p>\n\n\n\n<div style=\"height:30px\" aria-hidden=\"true\" class=\"wp-block-spacer\"><\/div>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">F\u00f6rdersumme: 408.436 \u20ac<\/p>\n\n\n\n<div style=\"height:30px\" aria-hidden=\"true\" class=\"wp-block-spacer\"><\/div>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Laufzeit: 01.10.2019 bis 30.06.2023<\/p>\n<\/blockquote>\n\n\n\n<div style=\"height:50px\" aria-hidden=\"true\" class=\"wp-block-spacer\"><\/div>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\"><strong>Projektleiter<\/strong>: <a href=\"https:\/\/www.fh-kiel.de\/fachbereiche\/informatik-und-elektrotechnik\/wir-ueber-uns\/lehre\/professores-lehrkraefte-fuer-besondere-aufgaben-lfba\/eisele-prof-dr-ronald\/\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">Prof. Dr. Ronald Eisele<\/a><\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\"><strong>Kurzfassung<\/strong>: Hochleistungshalbleiter in der Leistungselektronik sind bestimmendes Element f\u00fcr die Leistungsf\u00e4higkeit von Umrichtern und Steuerelementen in der Elektromobilit\u00e4t und bei Systemen der regenerativen Energie. Ein Leistungshalbleiter, der deutlich mehr Strom pro Fl\u00e4che und damit eine geringere Fl\u00e4che f\u00fcr die Kontaktierung aufweist, ben\u00f6tigt eine extrem leistungsf\u00e4hige Chip-Kontaktierung mit gro\u00dfem Leiterquerschnitt bei gleichzeitig kleiner Kontaktfl\u00e4che.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ziel ist eine Neuentwicklung der Hochstrom-Kontaktierungstechnik auf der Oberseite des Leistungshalbleiters. Diese Kontaktierungsm\u00f6glichkeit soll sowohl auf einem Leadframe-Stapelaufbau als auch auf der herk\u00f6mmlichen keramischen Leiterplatte einsetzbar sein. In schnell schaltenden Systemen (z.B. Wide-Bandgap-Halbleiter SiC und GaN) f\u00fchrt dieser hohe Strom jedoch zu Problemen mit \u00dcberspannung im Modul durch interne, parasit\u00e4re Induktivit\u00e4ten. Daher wird in diesem Vorhaben parallel zur Hochstromkontaktierung auch das niederinduktive Design der Chip-Kontaktierung vorangetrieben.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ergebnis ist ein Demonstrator in Form einer Leistungsbaugruppe f\u00fcr eine einphasige Motoransteuerung. Die Baugruppe umfasst die IGBT oder MOSFET-Endstufe (Halbbr\u00fccke), gegebenenfalls passive Bauelemente (Widerst\u00e4nde und Kondensatoren) und Sensoren (Thermistor und ggfs. Shunt) in Sintertechnik. Zus\u00e4tzlich soll die Option f\u00fcr eine W\u00e4rmespreizung und\/oder eines K\u00fchlk\u00f6rpers im Bereich der Leistungshalbleiter gegeben sein.<\/p>\n\n\n\n<div style=\"height:50px\" aria-hidden=\"true\" class=\"wp-block-spacer\"><\/div>\n\n\n\n<div class=\"wp-block-group has-white-background-color has-background is-content-justification-space-between is-nowrap is-layout-flex wp-container-core-group-is-layout-b0ffac9c wp-block-group-is-layout-flex\">\n<figure class=\"wp-block-image size-full wp-container-content-5b984bb6\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"400\" height=\"214\" src=\"https:\/\/fe-kiel.de\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/2023-08-01-103138.519483mwvatt.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-378\" srcset=\"https:\/\/fe-kiel.de\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/2023-08-01-103138.519483mwvatt.png 400w, https:\/\/fe-kiel.de\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/2023-08-01-103138.519483mwvatt-300x161.png 300w\" sizes=\"(max-width: 400px) 100vw, 400px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-full wp-container-content-9dbf05af\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"960\" height=\"238\" src=\"https:\/\/fe-kiel.de\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/HAW_Kiel_Logo.svg_.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-349\"\/><\/figure>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Projektleiter: Prof. Dr. Ronald Eisele Kurzfassung: Hochleistungshalbleiter in der Leistungselektronik sind bestimmendes Element f\u00fcr die Leistungsf\u00e4higkeit von Umrichtern und Steuerelementen in der Elektromobilit\u00e4t und bei Systemen der regenerativen Energie. 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